技術講演会(16/06/23) [終了]

イベント, 群馬大学アナログ集積回路研究会共催

  • 日時:2016年06月23日(木) 14:20~17:30
  • 会場:群馬大学理工学部(桐生キャンパス)総合研究棟502号室
    交通アクセス / 桐生キャンパス案内図
  • 講演概要「パワーMOSFETの基礎」
    松田 順一 氏(群馬大学客員教授)
  • 参加費:無料


  1. 材料特性
    真性キャリア密度、P-N接合ビルトイン(拡散)電位、抵抗、移動度、抵抗率、インパクト・イオン化、ブレークダウン電圧、理想特性オン抵抗とブレークダウン電圧の関係
  2. MOSFET基本電気特性
    しきい値電圧、電流式とチャネル抵抗
  3. パワーMOSFETのオン抵抗
    VD(Vertical Drift)-MOSFETのオン抵抗、U-MOSFETのオン抵抗
  4. パワーMOSFETの容量
    VD-MOSFETの容量、U-MOSFETの容量
  5. スイッチング特性
    ゲート電荷、ターンオン特性、特性ゲート電荷とFOM値、ターンオン過渡特性、ターンオフ過渡特性、スイッチング損失
  6. 過渡変化によるターンオンとSOA(Safe Operating Area)
    容量性ターンオン、バイポーラ・ターンオン、セカンド・ブレークダウン、リバース・リカバリーによるターンオン、SOA
  7. 温度特性(しきい値電圧と特性オン抵抗)
  8. 4H-SiCパワーMOSFET
    VD-MOSFET、シールド型VD-MOSFET、シールド型U-MOSFET

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